一、掺杂半导体：在本征半导体硅或锗中掺入微量的其他适当元素后所形成的半导体。
根据掺杂的不同杂质分为：N型半导体，P型半导体
二、N型半导体：在本征半导体掺入五价杂质元素（磷或砷）的杂质半导体。
N型半导体中产生大量的自由电子和正离子。
电子是多数载流子，简称多子；
空穴是少数载流子，简称少子。
电子密度＞空穴密度
因电子带负电，称这种半导体为N型半导体或电子型半导体。
三、P型半导体：在本征半导体掺入三价杂质元素（如硼）的杂质半导体。
P型半导体中产生大量的空穴和负离子。
空穴是多数载流子，简称多子；
电子是少数载流子，简称少子。
电子密度＜空穴密度
因空穴带正电，称这种半导体为P型半导体或空穴型半导体。
四、杂质半导体的转型
N——P（掺杂三价或五价元素）
半导体中正负电荷总数相等，宏观呈电中性。
N型半导体 多子电子
少子空xue
加磷，五价元素，正离子多出来一个自由电子
忽略硅，产生大量自由电子和正电荷
由掺杂物决定
T温度
P型半导体 T相关
多子 空穴
少子 dian zi
掺硼，三价元素 负离子
N型和P型互相转型
positive 型半导体
空穴型半导体
1.本征半导体；
2参杂半导体： 在本征的基础上参如微量
N型半导体 五价
P型半导体 三价
P型半导体：掺入3价元素，多子为空穴，positive，受主杂质
N型半导体：掺入5价元素，多子为电子，negative，施主杂质
本征半导体
电阻率太高
导电性随温度变化
掺杂半导体
N型半导体
掺入五价
空穴是少数载流子
电子是多数载流子
施主杂质
P型半导体
参入三价杂志元素受主杂质
N P
N型电子密度大于空穴密度
多子 是电子
少子是空穴
P型
电子密度小于空穴密度
多子 是空穴
勺子 是电子
N型P型本征激发始终存在
本征半导体
半导体中正负电荷总数相等，宏观呈电中性
