3.3.3 场效应管与晶体管的比较

（1）导电机理

场效应管是利用一种极性载流子导电的。

在双极性晶体管中两种极性的载流子（电子和空穴）同时参与导电。

（2）结构对称性

场效应管的结构对称，漏极和源极可以互换使用。（除了源极和衬底在制造时已连在一起的MOS管）

在双极型晶体管的射极与集电极不能互换。

（3）控制方式

场效应管是一种电压控制器件，即通过Ugs来控制Id;双极性晶体管是一种电流控制器件，即通过Ib来控制Ic

(4) 放大能力

场效应管跨导gm较小，放大能力弱；

双极性晶体管电流放大系数B大，放大能力强。

（5）直流输入电阻

场效应管的输入端电流几乎为零，输入电阻非常高。输入电阻达几兆欧以上。

双极性晶体管的发射结始终处于正向偏置，有一定的输入电流，基极与发射极间的输入电阻较小，几十欧到几千欧。

（6）稳定性及噪声

场效应管有较好的温度稳定性。抗辐射性及低噪声特性；

双极性晶体管受温度和辐射的影响较大

（7）场效应管的其他特点

   a.场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。

每个MOS场效应管在硅片上所占的面积只有双极性晶体管5%。

b.MOS管的栅极不得开路

由于MOS管的输入电阻高，由外界感应产生的电荷不易泄露，而栅极上的绝缘层又很薄，这将在栅极上产生很高的电场强度，以致引起绝缘层的击穿而损坏管子。