1.半导体

齐纳击穿的机理

加大反向电压，反向电流加大

击穿电压

齐纳击穿 特点

T升高

U击穿电压 下降

雪崩击穿

碰撞电离

特点击穿电压高于6V

击穿分为：齐纳击穿和雪崩击穿

负温度系数：温度升高，击穿电压反而下降

1.1.4 PN结的反向击穿

     PN结的反向偏置，PN结呈现高阻，截止状态

加大反向电压，PN结出现大电流 因为当PN结反向偏置电压超过一定值时，反向电流急剧增大，PN结被反向击穿。

根据反向击穿的机理不同： 1.齐纳击穿 2.  雪崩击穿

1.齐纳击穿

条件1. 半导体的掺杂浓度高，PN结薄 较低反向电压就可以使空间电荷中就有较强的电场。

齐纳击穿的机理：

电场将PN结的价电子从共价键中激发出来。

形成原因：价电子受激发

击穿的特点：

1.击穿电压一般低于4V

2.击穿电压具有负的温度系数

负温度系数：

当温度升高时，所需的击穿电压 降低， 温度升高，击穿电压下降

正温度系数：

当温度升高时，所需的击穿电压升高。

温度升高击穿电压升高

2.雪崩击穿

条件1.半导体的掺杂浓度低，PN结厚

需要更高电压才能使空间电荷区产生较强的电场

雪崩击穿的机理;

电场使PN结中的少子“碰撞电离”共价键中的价电子。

形成原因：少子加速碰撞电离

雪崩击穿的特点：

1.击穿电压一般高于6V.

2. 击穿电压具有正的温度系数

PN结特性