1.半导体二极管参数

(1) 额定电流If

 管子长期运行所允许通过的电流的平均值。

（2）反向击穿电压U(BR)

二极管能承受的最高反向电压。

普通二极管的最高反向电压一般在几十伏以上。

（3）最高允许反向工作电压U(R)

为了确保管子安全工作，所允许的最高反向电压。

UR=(1/2-2/3)U(BR)

 (4) 反向电流I(R)

室温下加上规定的反向电压测得的电流。

硅管为（nA)级，锗管为微安（uA)级

（5）正向电压降

指通过一定的直流测试电流时的管压降。

管压降Ud约为1.硅管0.6-0.8V 2.Z锗管0.2-0.3V

估算时取管压降Ud  1.硅管0.7V  2.锗管0.3V

(6) 最高工作频率Fm

当工作频率过高时，其单向导电性明显变差。

大幅提高信号频率，二极管失去单向导电性。

2. 半导体二极管的温度特性

（1）当温度上升时，死区电压缩小，正向管压降降低。

即温度每升高1度，管压降降低（2-2.5）mV

(2) 温度升高，反向饱和电流增大。

即平均温度每升高10度，反向饱和电流增大一倍。