2.晶体管及放大电路
晶体管放大状态--发射结正向偏置，集电结反向偏置。
3.放大状态下晶体管的电流关系
a.发射区向基区扩散电子
发射区向基区扩散电子，形成发射极电流Ie
发射区向基区扩散电子
称扩散到基区的发射区电子为非平衡少子
发射区向基区扩散电子，基区向发射区扩散空穴
基区向发射区扩散空穴形成空穴电流。
因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度。
空穴电流忽略不计
b. 基区电子的扩散和复合
浓度差使得非平衡少子向集电结继续扩散
非平衡少子在基区复合，形成基极电流Ib
C.集电区收集漂移过来的电子
非平衡少子到达集电区
电子漂移至集电区，形成集电极电流Ic
集电区，基区少子相互漂移
少子相互漂移 形成反向饱和电流I CBO
发射结回路为输入回路，集电结回路为输出回路。基极是两个回路的公共端，称三极管这种接法为共基极接法 又称基极放大电路
IE=IC+IB
放大状态--发射结正向偏置，集电结反向偏置
