2. DRAM存储单元一般是利用电容存放信息为了提高集成度,目前大容量的DRAM存储单元只用一个MOS管和一个电容组成。
电容Cs用来存储数据
T为门控管
读出后Cs电荷转移,所存信息被破坏,必须立即刷新恢复操作,以保证存储信息不会丢失。
动态MOSRAM的特点:
优点:是容量大,功耗低价格便宜。
确点:读写速度比SRAM低,并需要刷新及读出放大器等外围电路。
2. DRAM存储单元一般是利用电容存放信息为了提高集成度,目前大容量的DRAM存储单元只用一个MOS管和一个电容组成。
电容Cs用来存储数据
T为门控管
读出后Cs电荷转移,所存信息被破坏,必须立即刷新恢复操作,以保证存储信息不会丢失。
动态MOSRAM的特点:
优点:是容量大,功耗低价格便宜。
确点:读写速度比SRAM低,并需要刷新及读出放大器等外围电路。