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PN结的单向导通特性

正偏：导通

反偏：截止

PN结阻碍多子的扩散

PN结加速少子的漂移

一、掺杂半导体：在本征半导体硅或锗中掺入微量的其他适当元素后所形成的半导体。

根据掺杂的不同杂质分为：N型半导体，P型半导体

二、N型半导体：在本征半导体掺入五价杂质元素（磷或砷）的杂质半导体。

N型半导体中产生大量的自由电子和正离子。

电子是多数载流子，简称多子；

空穴是少数载流子，简称少子。

电子密度＞空穴密度

因电子带负电，称这种半导体为N型半导体或电子型半导体。

三、P型半导体：在本征半导体掺入三价杂质元素（如硼）的杂质半导体。

P型半导体中产生大量的空穴和负离子。

空穴是多数载流子，简称多子；

电子是少数载流子，简称少子。

电子密度＜空穴密度

因空穴带正电，称这种半导体为P型半导体或空穴型半导体。

四、杂质半导体的转型

N——P（掺杂三价或五价元素）

半导体中正负电荷总数相等，宏观呈电中性。

1. 常用半导体材料：硅和锗
2. 本征半导体：完全纯净的半导体器件
3. 本征激发产生电子和空穴
4. 电子和空穴成对产生
5. 电子和空穴成对复合
6. 空穴浓度=电子浓度
7. 电子（负电荷）逆着电场方向运动
8. 价电子不断填补空穴而使空穴移动，形成空穴电流
9. 空穴（正电荷）顺着电场方向运动

本征半导体不能再半导体器件中直接使用

特点：入门难

内容比较多，技术术语多

基本概念多，电路种类多

学习方法：

注重物理概念

采用工程观点

实际工程的特点：

电子器件的特性具有分散性

元器件的实际参数值与标称值有一定的偏差

实际参数值受环境温度等因素的影响而偏离设计值

管为路用，以路为主

模拟电路：器件工作在放大状态

数字电路：器件工作在开关状态

1.半导体

齐纳击穿的机理

1.1P

锗管0.3V

硅管0.7V

P到N正偏 、N到P反偏

PNP：电位最高的是发射极、电位最低的是集电极、中间电位的是基极

NPN：电位最高的是集电极、电位最低的是发射极、中间电位的是基极

压差是基极与发射极的电位差

晶体管：

放大：E正 C反

饱和：E正 C正

截至：E反 C反

倒置：E反 C正

1.半导体二极管及其应用

1.4.1硅稳压二极管

1.符号与伏安特性

电击穿、热击穿

1

电力系统我国第一

电力系统我国第一

模拟电子技术就是研究电子器件，电子电路以及应用的科学技术

加大反向电压，反向电流加大

击穿电压

齐纳击穿 特点

T升高

U击穿电压 下降

雪崩击穿

碰撞电离

特点击穿电压高于6V