场效应管及其放大电路
1.在N沟道JFET中,Ugs和Ugs(off)均为负值。
2. 在P勾搭JFET中,Ugs和Ugs(off)均为正值。
场效应管及其放大电路
1.在N沟道JFET中,Ugs和Ugs(off)均为负值。
2. 在P勾搭JFET中,Ugs和Ugs(off)均为正值。
三极管的主要特点
1. 电流控制型器件。
2.输入电流大,输入电阻小。
3. 两种极型的载流子都参与导电,又称双极型晶体管,简称BJT
肖克利于1949年提出了结型晶体管概念
场效应管:
(1)JFET是利用Ugs所产生的电场变化来改变沟道电阻的大小,即利用电场效应控制沟道中流通的电流大小,因而称为场效应管。
(2)场效应管为一个电压控制型的器件。
3. 场效应管及其放大电路
场效应管,简称FET
其主要特点:电压控制电流源
a.
输入电阻高,可达10七次幂-10十五次幂欧姆
(b)起导电作用的多数(一种)载流子又称为单极性晶体管
(c) 体积小.重量轻.耗电省.寿命长。
(d) 噪音低.热稳定好.抗辐射能力强和制造工艺简单。
(e) 在大规模集成电路制造中得到广泛应用。
场效应管按结构可分为:
1.结型场效应管,简称JFET
2.绝缘栅型场效应管,简称IGFET
f放大电路频率特性受电抗元件的影响
电路中存在的电容:
a.耦合电容和旁路电容
主要影响电路的低频性能。
b. 结电容.极间电容.分布电容及负载电容等
不同电容对电路性能影响
主要影响电路的高频性能。
不同频率区域对电容的处理原则:
a.低频区
考虑耦合电容.旁路电容的作用。
结电容.极间电容.分布电容及负载电容等视为开路。
低频区--高通
b. 中频区
耦合电容及旁路电容.分布电容及负载电容等仍视为开路。
中频区-纯电阻
c. 高频区
考虑结电容.极间电容.分布电容及负载电容等小电容的作用。
耦合电容及旁路电容视为短路。
高频区--低通
2.8.1 频率响应和频率失真
(1) 频率响应--放大电路输入幅度相同的正弦波信号时,输出信号的幅度与相位随信号频率变化而变化的特性。
频率特性: 1.幅频特性. 2. 相频特性
多级放大电路动态分析时应注意的两个问题:
a. 后级放大电路的输入电阻可视为前一级放大电路的负载电阻。
b.前一级放大电路的输出电阻可视为后一级放大电路的信号源内阻。
2.6.4 三种基本组态放大电路比较
1.共射极放大电路
2.共集电极放大电路
3.共基极放大电路
三种放大电路的特点及应用:
(1) 共同点
a. T 管都工作在放大状态(发射结正偏,集电结反偏)
b. 分析步骤相同(直流通路,交流通路)
c.分析方式相同(静态--估算法,动态--微变等效电路法)
(2)不同点
a. 动态特性不同
b. 电路功能不同
c.应用场合不同
1. 三种放大电路的静态分析
a. 画出直流通路 如何得到直流通路? 断开C1.C2.Ce
(1) 固定式偏置(2) 分压式偏置
固定式偏置静态分析步骤
分压式偏置静态分析步骤
2. 三种放大电路动态分析(共射极电路为例)
(1)画交流通路
(2)画微变等效电路
(3)计算动态输入电阻
(4) 动态性能分析
3. 三种放大电路动态参数比较
共射 共集 共基
入 :b 出:c 入:b 出: e 入:e 出:c
Au 反相 同相 同相
Ri
R0
4. 三种放大电路主要应用
1.共射极放大电路最常用,可以放大电压.电流与功率,常作为各种放大电路的主要放大电路;
2.共集电极放大电路,输入与输出阻抗理想,多用于阻抗变换及多级放大电流的输入级或输出级;
3. 共基极放大电路特点是频率特性好,常用于宽频带放大器及高频放大器中。
共基极放大电路的优点:
(1)有电压放大能力,电压放大倍数与共射放大电路相同。
(2) U0与Ui同相。
(3) 没有电流放大能力。
(4) 输入电阻更小,输出电阻大。
(5) 在低频放大电路很少应用。
(6) 主要应用在高频放大电路。
击穿分为:齐纳击穿和雪崩击穿
负温度系数:温度升高,击穿电压反而下降
器件是为电路所用的
电路分为:模拟电路和数字电路
模拟电路在放大状态
数字电路是在开断状态
共射极放大电路的特点:
(a) 有电压放大能力。
(b) U0与Ui反相。
(C) 具有电流放大能力和功率放大能力。
(d) 具有低的输入电阻和高的输出电阻。
2.4 放大电路的动态分析
2.5 含负反馈的静态工作点稳定电路
2.5.1 静态工作点的选择与稳定
选择静态工作点Q应该考虑的几个主要问题:
(1)安全性
Q应该在安全区,
且应该在安全区中的放大区。
(2) 动态范围
为了获得尽可能大的动态范围,
Q应该设置在交流负载线的中间。
晶体管的安全工作区
(3) 电压放大倍数Au
(4) 输入电阻Ri
(5) 功耗和噪声
减少电流|IcQ| 可以降低电路的功耗和噪声。
2. 静态工作点的稳定
1)引起Q点不稳定的原因
(a) 温度对Q点的影响
1.温度升高,B增大
2.温度升高, Icbq增大
3.温度升高|UBE| 减少
导致集电极电流IcQ增大
(b) 老化
管子长期使用后,参数会发生变化,影响Q点。
(c) 其他方面
电路中电源电压波动.元件参数的变化等都会影响Q点。
小结
a.Q点是影响电路性能的主要因素
b. 影响Q点不稳定的主要因素是温度
2. 晶体管及放大电路基础
2.4放大电路的动态分析
2.4.1 图解法
2.4.2 微变等效电路法
2.4.2.1晶体管的微变等效电路
2.4.2.2 放大电路的动态指标计算
a. 电压放大倍数
U0与Ui相位相反
b.输入电阻Ri
Ri 越大,ui也就越大,
Uo=AuUi 也就越大
电路的放大能力就越强。
c. 输出电阻R0
f放大电路对其负载而言,相当于负载的信号源。
放大电路的输出电阻就相当于信号源的内阻。
直流通路:只考虑直流信号的分电路(耦合电容开路)
交流通路:只考虑交流信号的分电路。(耦合电容短路,直流电源接地)
共射极放大电路的基本分析步骤:
1.直流分析:用直流通路分析静态工作点
三步法:
IBQ
ICQ
UCEQ
2.交流分析: 用微变等效电路分析动态指标
三步法
a. 画出微变等效电路
b.求出rbe
c. 求出3个指标(Au Ri R0)
交流负载线
2.3 放大电路的静态分析
2.3.1图解法
2.3.2 估算法
放大电路的静态分析
放大电路中信号的特点:交直流共存
2.3.1 图解法
放大电路的用途概述:
把微弱的电信号不失真地放大到负载所需要的数值。
2.放大电路的主要性能指标
(1)电压放大倍数Au
(2) 输入电阻Ri
RI越大,输入电流i越小,信号源的负载越小。
Ri越大,Ui也越大,电路的放大能力越强。
(3)
2.1.4 晶体管的主要电参数集温度特性
1.晶体管的主要电参数
(1)直流参数
(1)共基极直流电流放大系数
(2)共射极直流放大系数
(3)发射极开路,集电极-基极间反向饱和电流
(4)基极开路,集电极-发射极间反向饱和电流
集电极放大电路
发射极放大电路
基极放大电路
晶体管放大的条件:
内部条件:发射区掺杂浓度高,面积小;
基区掺杂浓度低且很薄;
集电区掺杂浓度低,面积大。
外部条件:
发射结正偏,集电结反偏